三星即将推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量达28.5Gb

尽管目前 QLC 闪存因为寿命和速度问题不太讨喜,不过三星此前已经推出基于 QLC 的固态硬盘,而且三星认为 QLC 是个提高容量的不错的解决方案。

为此三星正在准备推出该公司的下一代 QLC NAND V9 解决方案,堆叠层数为 280 层,其容量密度达到每平方毫米 28.5Gb,远超竞争对手。

三星即将推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量达28.5Gb

目前业界最高密度的闪存是长江存储的 232 层 QLC 闪存,每平方毫米容量为 20.62Gb,不过长江存储的 232 层 QLC 闪存也还没有正式推出。

速度方面,报道称 QLC NAND V9 的最大传输速度为 3.2Gbps (每个芯片),这比三星之前的版本 2.4Gbps 要快不少,所以对于 M.2 SSD 来说速度不会太差。

然而 QLC SSD 基本都配备了缓存,有缓存的情况下读写速度还不错,一旦缓存写满或者说直接对 QLC 闪存进行读写,那速度就会很惨了,有时候到 100~300MB/S (这已经算高的了,有些只有 100MB/S 以内,堪比机械盘),这就失去了 SSD 的优势。

不过毕竟 QLC SSD 价格也会便宜,另外由于密度大,三星可能会推出消费级的 8TB QLC M.2 固态硬盘。

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